roboforum.ru

Так в этой схеме +30,5V относительно чего подавать?

Относительно земли. Но это слишком большое напряжение.

Вы попробуйте топик не сконца а с первой страницы ЧИТАТЬ !

2quarz: на схемах ниже видно какие напряжения на самом деле можно ожидать
здесь ты измеряешь VB относительно земли (схема из ДШ, как avr123 и рекомендовал посмотреть)

а здесь - измеряются напряжения на транзисторах:
открыт верхний - VS=3mV (падение напряжения на открытом нижнем транзисторе), открыт верхний - VS=VDD(напряжение питания/аккумулятора)

ничего не напутал?

Блин, на VB не должно быть фиксированного напряжения отностиельно земли! Оно прыгает вместе с VS, VS - это выход моста. На VB должно быть 10-20 В относительно VS, и вот это напряжение должно быть достаточно постоянным. Поэтому - конденсатор между VS и VB обязателен! Верхний драйвер питается от этого конденсатора. А вот как в этот конденсатор электричество попадает - возможны варианты.

Первый, типовой вариант - диод с +10-20В на VB. 30 вольт туда давать очень нехорошо, 25 вольт - Absolute Maximum из даташита! То что это работает у SMT, означает лишь что IR делает хорошие микросхемы, надежные Конденсатор заряжается когда открыт нижний ключ, а потом питает верхний драйвер. Недостаток варианта с диодом - нельзя надолго открыть верхний ключ, конденсатор разрядится. Но если ограничиться ШИМ 95%, то все работает.

Второй вариант тут предлагал avr123, накачка повышающим преобразователем. Позволяет держать верхний ключ открытым долго, но нужно спроектировать повышающий преобразователь так, чтобы он мог работать с прыгающим VB и обеспечивать определенное напряжение между VS и VB в обоих состояниях плеча - с открытым нижним (VS=0, VB = 10..20В) или верхним (VS = Vпит, VB = Vпит+10..20В). Особенно эта задача интересна, когда хочется питать несколько плеч от одного преобразователя и часть из них - внизу, а часть - вверху. Я если честно не вижу решения этой задачи с одной индуктивностью на повышалке, но тут я могу и ошибаться.

Хотя наверное так как у SMT в принципе тоже можно делать - но напряжение повышалки понизить вольт до 22. А то нехорошо получается при закрытых ключах. И диоды D7,D10 тогда получается не нужны вовсе. Режим выходит нештатный, но вроде бы допустимый.

А, сорри , чукча не читатель Прочитал последние 3 стр подряд, понял что SMT тоже дошел до того, что напряжение надо бы уменьшить.

boez писал(а):Первый, типовой вариант - диод с +10-20В на VB. 30 вольт туда давать очень нехорошо, 25 вольт - Absolute Maximum из даташита!

не понял я ранее спрашивал

В ДШ драйверов указано VB_max=625в правильно?

Когда подавал на VB напряжение +22в, при VCC/VDD (питании) +12в на затворе верхнего транзистора было максимум +10в - думаю маловато, по этому поднял повыше до +26-28в. Мне напряжение на VB советовали снизить, чтобы не выходить за максимум на затворе транзистора.

boez писал(а):на VB не должно быть фиксированного напряжения отностиельно земли! Оно прыгает вместе с VS, VS - это выход моста.

не понятно - почему?

Восстановил работу схемы - ключевой транзистор на входе драйвера сгорел - не включался

Воспользовался советом изменить схему, предложенную AVR'ом - теперь замеряется напряжение не на VS, а на VDD (напряжение аккумулятора). Теперь один степап питает VB всех драйверов (пока двух), всегда подавая максимум 12,8в на затвор верхнего транзистора - не зависимо от напряжения аккумулятора.
Схема теперь выглядит так:

напряжения при нагрузке 6А - мотор пылесоса (реактивная нагрузка, как обещал!)


на меньшей нагрузке при 6-12в на затворе верхнего транзистора всегда было одинаково 12,8в.
периодическое переключение направлений вращения мотора иногда приводило к "невключению" в одну из сторон. При таком периодическом переключении на нагрузке 6А одно из плеч сново перестало работать (то-же самое, что раньше, но теперь транзистор в порядке).

Это не совсем то, что я предлагал, но если так включать то

я советую между 6 и 8 поставить стабилитрон на 15-18 вольт и последовательно с D7 и D10 добавить резисторы 30-60 Ом примерно.

С4 С6 я бы запараллелил с допольнительными конденсаторами по 1-20 мкФ.

Точка VDD у С1 - это опора относительно которой происходит повышение напруги с помощью - я бы эту точку соединил с питанием Н-моста. VDD перенести на 6 U7, провод между R31 и R36 разорвать.

Питание транзисторов моста в действительности VDD - это я на схеме не правильно указал.
Вот схема, как предложил AVR - правильно? Не понял насчет рассоединения резистов R31 и R36 - на вход 6 U7 подается VDD и схема с транзистором T5 тоже измеряет напряжение на VDD - как их разединить?

Проблема схемы с одним преобразователем в том, что когда Q8 включен то слишком болшой ток будет течь через резистор R38 и стабилитрон D14 - причем бесполезно. Аналогично и для Q6.

Половина моста перестала работать после пары переключений направлений вращения мотора пылесоса - оказалось, что на плате сгорела дорожка шириной 3мм. Транзисторы целые, диоды в них - тоже. Нужно ли дополнительно установить диоды для компенсации реактивных токов, еле внутренних мосфетовских достаточно?

2 avr123.nm.ru: а если резистор вот так поставить?


Какие преимущества-недостатки использования для моста P-канальных МОСФЕТов? Типа как на схеме ниже. И есть ли драйвера для этого?


пара ссылок по теме
http://www.modularcircuits.com/h-bridge_secrets1.htm
http://www.4qdtec.com/pwm-01.html
с анимацией
http://www.animations.physics.unsw.edu. ... otors.html

Диодов внутри достаточно обычно. Резистор так ставиь не надо - нарисуйте для себя как ток управления затвором протекает.

Схема бредовая очевидно так как закрываются полевики резисторами 10 кОм. Но при правильной схеме можно и П-полевики использовать.

SMT писал(а):не понял я ранее спрашивал

В ДШ драйверов указано VB_max=625в правильно?

boez писал(а):на VB не должно быть фиксированного напряжения отностиельно земли! Оно прыгает вместе с VS, VS - это выход моста.

не понятно - почему?

Да, все правильно - VBmax = 625В. Относительно земли. Но! VSmin = VB - 25В. Щас под руку не попадается толкового описания принципов работы такого типа драйверов - но главное то, что драйвер верхнего ключа представляет собой как бы отдельную часть схемы со своей землей. То есть для этой части VS - земля, VB - питание. И все это при переключении выхода прыгает относительно основной земли вверх-вниз по напряжению. Внутри IR2101 есть специальная схема, которая передает управляющий сигнал от основной части микросхемы к драйверу верхнего ключа, несмотря на прыгающую от 0 до (в особо тяжелых случаях) 600 вольт разность потенциалов между их землями.

Вот есть ссылочка, не сильно подробное, но все же описание принципов работы IR21xx. http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2003_03_22.php

Там в таблице типов управления верхним ключом первый вариант ("плавающий источник") - это как раз вариант с импульсным преобразователем, питающим верхний драйвер, а последний ("бутстрепное питание") - классический вариант с диодом, который простой и дешевый. но не умеет держать постоянно открытым верхний ключ.

А преимущества P-канальных мосфетов как раз в том, что не нужны эти вот пляски с бубнами по поводу питания затвора верхнего N-канального, которое мало того, что может быть выше напряжения питания, так еще и прыгает туда-сюда.

2 boez: спасибо за статейку.

На сайте IRF набрел на AN-940 "How P-Channel MOSFETs Can Simplify Your Circuit" ("Как P-канальный MOSFET может упростить вашу схему")

P-Channel HEXFET Power MOSFETs offer the designer a new option that can simplify circuitry while optimizing performance and parts count. In principle, nothing can be done with a P-Channel MOSFET that cannot be done with an N-Channel plus some extra gate drive circuitry. The main advantage of a P-Channel device is circuit simplification in medium and low power applications. As explained in the next section, the P-Channel MOSFET has significant higher power losses that discourage its application in higher power circuits.

P-канальные HEXFET Power MOSFETы дают разработчику новые возможности, которые упрощают схему (электронную цепь), оптимизируя производительность и уменьшая количество деталей. Вообще-то все, что может быть сделано с помощью P-канальных MOSFETов, может быть сделано с помощью N-канальных MOSFETов с дополнительными цепями управления. Основное преимущество P-канального устройства - упрощение схемы для средне- и слабомощных применений. ... P-канальный MOSFET имеет значительные потери мощности, что ухудшает его применимость в мощных устройствах (электронных цепях)

набрел на страничку с описанием драйверов от Mitsubishi, пару картинок оттуда приведу