roboforum.ru

TWIN писал(а):или посоветуете что-то?

НУ приколы можно разные посмотреть - http://www.youtube.com/user/nokiasony2
польза такая же как от идиотских советов ... и так же смешно !

TWIN
100нФ всё конденсаторы и бутстрепного тоже.
Тут было тема такая же, где АВР123 и я тоже спорили о ёмкости, потом я поставил как в ДШ, что он (АВР123) и предлагал .

ШИМ подавать от 0 до 99% можно, главное чтоб хоть что то перепадало ёмкости, но это легко проверить на практике при небольшой нагрузке.
Если конденсатор не будет успевать заряжаться, ключ начнёт греться.

Резистор на затворе рассчитывается из ходя из максимального тока выдаваемого драйвером, я поставил 10 Ом.

Конечно, подавать за 1.5м управление не очень мудрое решение ИМХО

Но как лучше не подскажу...

Добавлено спустя 4 минуты 36 секунд:
Вот господин АВР дал хорошую ссылку.
А тут корабль с драйверами от IR:

Там кстати конденстор тоже 100 нФ !

avr123.nm.ru писал(а):

TWIN писал(а):или посоветуете что-то?

НУ приколы можно разные посмотреть - http://www.youtube.com/user/nokiasony2
польза такая же как от идиотских советов ... и так же смешно !

Ваш вариант в студию просим! Не смешной и правильный!

TWIN писал(а):avr123.nm.ru Ваш вариант в студию просим! Не смешной и правильный!

2-й пост топика !

+ схема (пост avr123.nm.ru » 25 янв 2009 2:12 Вс ) нарисованая ПО ВАШЕЙ же просьбе.

Во втором посте этого топика (Вашем посте) я не вижу формулу расчета бутстрепной емкости, я также не вижу конкретного ответа по номиналу для конкретного МОСФЕТА... Я вижу что Вы только намекаете на номинал 470nF...
Да, за схему я вам говорил СПАСИБО! Еще раз говорю... СПАСИБО!

Знаете, Вам бы побольше конкретики - цены бы Вам не было! Очень много издевок, много ссылок, много критики, оффтопа, но мало аргументов и четких ответов... Не обижайтесь, ничего личного - просто взгляд со стороны...
Я бы понял еще подобный стиль, если бы мы с Вами спорили о чем-то имея одинаковый уровень знаний в схемотехнике... А так, это похоже на издевательство...

2avr123: Прекратите вставлять всякие ролики не по теме в посты!

2TWIN: А я предупреждал про avr123...

TWIN
Вам АВР123 привел схему, где чётко написан номинал ёмкости.
Я вам привёл с вашим драйвером ёмкость.
В ДШ чётко написана ёмкость.

У моего драйвера, который я изготовил и он работает, можете посмотреть ёмкость.

Что ещё вам нужно одному богу известно...

DeaD а ролик в тему последний!

Ролик абсолютнов тему ! Просто ДУМАТЬ надо просматривая.

Добавлено спустя 7 минут 49 секунд:

TWIN писал(а):Вам бы побольше конкретики - цены бы Вам не было!

Тогда охрану нанимать придется.

===========

А вот это во 2 посте:

ОЧЕНЬ РЕКОМЕНДУЮ ! Почитать даташит на интегрированый драйвер Н-моста - MC33883, H-Bridge Gate Driver IC - Document Number: MC33883. Rev 9.0, 1/2007. Freescale Semiconductor ...... MC33883. Rev 9.0. 1/2007.

Вам ВИДНО ? А вы это сделали ?

TYPICAL VALUES OF CAPACITORS
In most working cases the following typical values are recommended for a well-performing charge pump:
CCP = 33 nF, CCP_OUT = 470 nF, and CLR_OUT = 470 nF
These values give a typical 100 mV voltage ripple on VCP_OUT and VLR_OUT with Qg = 50 nC.

У транзистора IRF2804s-7ppbf Qg Typ. = 170 nC, Qg Max. = 260 nC
Насколько я понимаю, "слегка" не подходит...
Формулы расчета в даташите я так и не нашел...
Также я ее не нашел и в даташите на IR2125...
Может я не туда смотрю? Ткните носом.

Добавлено спустя 18 минут:
В даташите IR2125 присутствует номинал бутстрепного конденсатора 0,1mF...
В книге, указанной мною выше, также есть два примера с использованием этого драйвера - в обоих случаях 0,1mF...

TWIN писал(а):

TYPICAL VALUES OF CAPACITORS
In most working cases the following typical values are recommended for a well-performing charge pump:
CCP = 33 nF, CCP_OUT = 470 nF, and CLR_OUT = 470 nF
These values give a typical 100 mV voltage ripple on VCP_OUT and VLR_OUT with Qg = 50 nC.

У транзистора IRF2804s-7ppbf Qg Typ. = 170 nC, Qg Max. = 260 nC
Насколько я понимаю, "слегка" не подходит...

А думать не охота ... Да ?

Этож мозг сломать можно ! CCP_OUT = 470 nF при Qg = 50 nC, во сколько раз больше нужно взять CCP_OUT если Qg = 170 nC ???

Бином Ньютона ! Погибнуть можно решая.

TWIN писал(а):Формулы расчета в даташите MC33883 я так и не нашел...

Даже на 15 странице нет ??? Да что ты будешь делать ... Не везет так не везет.

И на моем рисунке емкости не читаемы ?! Ай беда ...

что-т я не понял.. написал пост, а он не появился...

авр, зачем избыточные схемы!?

Добавлено спустя 19 секунд:
хм, ну а зачем бутстрап тут? чтобы можно было верхним ключом управлять.. мне попадались больше драйверы для 2-х ключей сразу..
електронщику скоро вообще можно будет забыть о дискрете... взял 3-4 корпуса и готово устройство...

я лично советую не парить мозг с бутстрапами и прочей бородой там где это все никчему.... и юзать 4 детальки и радоваться ШИМ-у до 100% и прочим вещам...

avr123.nm.ru писал(а):А думать не охота ... Да ?

Ага, в точку попали! Как раз думать то охота! Иначе бы повелся на Ваши перлы...

avr123.nm.ru писал(а):Этож мозг сломать можно ! CCP_OUT = 470 nF при Qg = 50 nC, во сколько раз больше нужно взять CCP_OUT если Qg = 170 nC ???

Конечно можно... сломать... мозг! Если представить себе, что зависимость пропорциональная (или линейная? не важно...) И четко от величины заряда затвора МОСФЕТА...
Т.е. по Вашему Сb(для irf2804)=470/50*170 ???

avr123.nm.ru писал(а):Даже на 15 странице нет ??? Да что ты будешь делать ... Не везет так не везет.

И на моем рисунке емкости не читаемы ?! Ай беда ...

Даже на 15-й странице нет!!! На Вашем рисунке меня вообще емкости пугают! Тем более с использованием электролита (не рекомендуемого в бутстрепе, кстати, производителем - IR)

ТЕПЕРЬ ПО ДЕЛУ...
Вот, что удалось таки найти на сайте IR (irf.com): DESIGN TIP 98-2 Bootstrap Component Selection For Control IC’s (ниже будет прикреплен оригинал...)
В котором International Rectifier рассказывает о методе расчета бутстрепного каскада.
Интересно то, что в нем я нашел те же формулы, которые присутствуют в книге о которой упоминал ранее и формула расчета бутстрепной емкости почти такая же (хотя слегка упрощена автором).
Итак, напомню формулу:


Cb = 2(2*Qg + Iqbs(max)/f + Qls)/(Vcc - Vf) , где


Qg - величина заряда затвора МОСФЕТА
Iqbs(max) - ток потребления выходного каскада микросхемы драйвера в статическом режиме
f - частота ШИМ
Qls - циклическое изменение заряда драйвера (5нК - для 500/600-вольтных драйверов и 20нК - для 1200-вольтовых)
Vcc - напряжение питания драйвера
Vf - падение напряжения на бутстрепном диоде (0,8...1,0 В)

Берем из даташитов значения и подставляем в формулу:

Cb = 2(2*170 + 1000/10000+5)/(13-1) = 57,5

Далее, по рекомендации производителя умножаем полученный результат на коэффициент 15 и получаем величину бутстрепной емкости:
57,5 * 15 = 862,5

Итак, какие непонятности остались?
1. Qg у МОСФЕТА IRF2804s-7ppbf в даташите имеет след. значение: Typ.=170 nC, Max.=260 nC ... Какое значение брать для просчета? Минимальное, среднее или максимальное? (в расчете использовал минимальное)
2. В каких единицах в формулу подставлять частоту ШИМа? У меня расчетная - 10кГц... Вобщем, в расчете использовал 10000Гц.
3. Ну и емкость, как я понимаю, получаем в нанофарадах?

Вот уже кошерно.

Еще раз внимательно посмотрел на даташит IRF2804s-7ppbf, а именно на график "Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage".
Предполагаю, что для моего случая необходимо Qg принимать в районе 200 нК.

Тогда Cb = 2(2*200 + 1000/10000+5)/(13-1) = 67,5

67,5 * 15 = 1012,5
т.е. бутстрепная емкость = 1mF ? ну и тантал...

Под вопросом таки два пункта... в моем предыдущем посте...