Технический форум по робототехнике.
Kolin117 » 11 июн 2012, 11:24
OR-AVR-M128-DS точно не снята
SkyStorm » 11 июн 2012, 18:14
Да. Продается. Заранее нужно знать что там не стандартный кварц. А так отличная плата, периодически сам использую.
Кита » 14 авг 2012, 22:03
Подскажите, пожалуйста, на DRV8833 падает какое-нибудь напряжение как на L293?
avr123.nm.ru » 15 авг 2012, 12:58
падает когда течет ток, но немного. в даташите есть данные для вычисления.
Кита » 15 авг 2012, 16:49
These switching losses are typically on the order of 10%
to 30% of the DC power dissipation.
Это вот это? 30% от 5в это 1,5В. В L293 вроде так же?
Myp » 15 авг 2012, 17:17
нет это чтото другое
Кита » 15 авг 2012, 17:35
Вот тут как полностью написано
Power dissipation in the DRV8833 is dominated by the DC power dissipated in the output FET resistance, or
RDS(ON). There is additional power dissipated due to PWM switching losses, which are dependent on PWM
frequency, rise and fall times, and VM supply voltages. These switching losses are typically on the order of 10%
to 30% of the DC power dissipation.
The DC power dissipation of one H-bridge can be roughly estimated by Equation 2.
(2)
where PTOT is the total power dissipation, HS - RDS(ON) is the resistance of the high side FET, LS - RDS(ON) is the
resistance of the low side FET, and IOUT(RMS) is the RMS output current being applied to the motor.
Note that RDS(ON) increases with temperature, so as the device heats, the power dissipation increases. This must
be taken into consideration when sizing the heatsink.
Power dissipation это же рассеивание, т.е потери? Так? Просто больше не нашел ничего подобного
Кита » 17 авг 2012, 03:44
Никто не знает что ли?
avr123.nm.ru » 17 авг 2012, 04:42
неа
dccharacter » 17 авг 2012, 04:53
неа = не так
так это вот как:
H-BRIDGE FETS
VM = 5 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 200
VM = 5 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 325
HS FET on resistance
VM = 2.7 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 250
VM = 2.7 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 350
RDS(ON) mΩ
VM = 5 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 160
VM = 5 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 275
LS FET on resistance
VM = 2.7 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 200
VM = 2.7 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 300
IOFF Off-state leakage current VM = 5 V, TJ = 25°C, VOUT = 0 V –1 1 μA
т.е. на пяти вольтах будет падение 0,5А*0,325Ом + 0,5А*0,275Ом = 0,3В
Кита » 17 авг 2012, 14:19
спасибо большое