AlphA » 21 апр 2005, 23:39
Не напугали, не страшно :D
IGBT - по нашему значит БТИЗ (т.е. Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором). Является гибридом обычного биполярника и поливика. Поливик работает на базу биполярника. Т.о. получается мощный биполярник с малым током управления (большим коэффициентом передачи тока).
Но их эффективно использовать на напряжениях начиная от 100в. Т.к. имеют падение почти такое же (или немного меньше), как и обычные биполярные - 0,5 - 1в.
А вот MOSFET - это уже ближе к нам. Действительно, по нашему это МОП-транзистор, или поливик. Так же имеет низкие токи управления. Вернее, токов как таковых, вообще не имеет. Есть только некоторая ёмкость затвора. В процессе её перезарядки и возникает ток управления (кстати, пропорциональный частоте, раз это ёмкость).
Главное же у него не затвор, а сам канал. Падение напряжения на открытом канале не является константой, а пряморопорционально напряжению и току. Вообще, у них есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Для мощных приборов оно обычно не превышает 0,05 Ом. Конкретные значения выясняются в справочниках. Имея этот параметр, заданое рабочее напряжение (питание) и максимальный ток комутации, можно вычислить ожидаемое падение на транзисторе (по закону Ома). При низких (до 100в) напряжениях питания МОП-транзисторы применять значительно выгоднее, чем биполярные. Результирующее падение напряжения (а вместе с ним и рассеиваемая в тепло мощность) может быть на 1-2 порядка меньше, чем у конструкции на биполярных транзисторах.