dccharacter » 17 авг 2012, 04:53
неа = не так
так это вот как:
H-BRIDGE FETS
VM = 5 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 200
VM = 5 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 325
HS FET on resistance
VM = 2.7 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 250
VM = 2.7 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 350
RDS(ON) mΩ
VM = 5 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 160
VM = 5 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 275
LS FET on resistance
VM = 2.7 V, I O = 500 mA, TJ = 25°C 200
VM = 2.7 V, IO = 500 mA, TJ = 85°C 300
IOFF Off-state leakage current VM = 5 V, TJ = 25°C, VOUT = 0 V –1 1 μA
т.е. на пяти вольтах будет падение 0,5А*0,325Ом + 0,5А*0,275Ом = 0,3В
Мой волшебник это я сам. Всю архитектуру программы придумал лично, а ребята помогли воплотить её. Я бы и сам мог написать, но лень учить язык и его конструкции.