roboforum.ru

Доброго времени суток, многоуважаемый All!

Думаю, данный топик будет интересен многим.
Основной вопрос: как грамотно подобрать полевой транзистор и как с ним работать?

Предлагаю делать это на примере IRF7319. Даташит на него ниже.

...продолжаем по порядку...
Первая страница даташита. Absolute Maximum Ratings
Это очень важная табличка! В ней приведены параметры, при привышении которых транзистору наступит конец. (Ну, по крайней мере, производитель ничего не гарантирует... )

Drain-Source Voltage
Напряжение Сток-Исток (ноги, помеченные символами "D" и "S" на схеме на первой странице), которое для транзистора смертельно.
Gate-Source Voltage
Напряжение Затвор-Исток ("G" и "S" на схеме на первой странице), которое для транзистора смертельно.
Continuous Drain Current
Постоянный максимальный ток стока. Приведен для двух температур: 25 и 70 градусов. Это тот максимальный ток, на который мы можем рассчитывать. Например, при построении мостовой схемы управления двигателем, его ток при остановленном роторе (получается что-то вроде короткого замыкания) не должен превышать указанный для транзистора. При этом я руководствуюсь тем током, который приведен для 70 градусов. Да к тому же предпочитаю иметь некоторый запас. Например, двигатель FK-180SH-17140 от Mabuchi Motor потребляет при заклинином роторе ток 1.75А (при максимальной эффективности - только 0.39А!!!) при напряжении 6 вольт. N-канал способен пережить ток 5.2А, а P-канал - только 3.9А. Следовательно, ток двигателя не должен превышать 3.9А (ну, с запасом: 3.5А ). Т.е. транзисторы IRF7319 могут управлять таким двигателем. Тем более, что по напряжению он тоже вполне проходит.
Pulsed Drain Current
Переменный максимальный ток стока. Это тот ток, который можно коммутировать ШИМ-сигналом (PWM).
Если не ошибаюсь, на второй странице внизу среди примечаний указаны параметры данного ШИМ: ширина <= 300 микросекунд и скважность 2%.
Чисто теоретически, если мы управляем двигателем с помощью ШИМ-сигнала, то нам этот параметр может чем-то помочь. Например, можно предположить, что не обязательно брать запас, как я делал это выше (3.5А вместо 3.9А), поскольку в режиме пульсации можно больше.
Уважаемые Гуру, я прав?
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Этот параметр для меня не сильно понятен... По крайней мере, как он мне может помочь при проектировании мостовых схем, я не знаю.
Maximum Power Dissipation
Это максимальная рассеиваемая мощность. Чаще всего ограничивается возможностями корпуса, в который помещен транзистор.
Вроде бы этот параметр мало чем полезен... Все-таки ориентироваться приходится по току... Ну, можно, видимо, как-то рассчитать, какой радиатор прилепить, чтобы увеличить ток...

...остальные параметры для меня - темый лес.

Вторая страница даташита. Electrical Characteristics
Это полезная таблица. Но как и что отсюда брать - я не знаю. Догадываюсь, что из этой таблицы, а также из графиков, которые есть в даташите ниже, можно определить, можно ли управлять транзистором логическим уровнем (5 вольт). Но как получить эту сверхполезную информацию, я не знаю.

Действительно, было бы очень интересно разобраться, что к чему. Я вот и не знал, что есть сдвоенные мосфеты, а то применил бы их в своих регуляторах. Намного больше места было бы свободного в корпусе...

Я недавно юзал драйверы для мосфетов MC34151 - отличная замена огороду транзисторов...  :wink:
А вообще бывают мосфеты с ТТЛ-управлением...

Digit писал(а):затвора полевого транзистора есть емкость

А чем это нам грозит в прикладном смысле?

Тем что для переключения транзистора ее нужноперезаряжать.

Поэтому для мощных транзисторов при большой частоте переключений
нужно применять специальные драйверы - я советую ir2110.

Советую верхнее плечо драйвера питать отдельным источником питания
развязаным трансформатором от основной схемы.

Выбор драйверов для MOSFET   -  апноут AN799 "Matching MOSFET Drivers to MOSFETS"




Другие схемы управления затворами MOSFET и IGBT  смотрите в   AN-937  на  irf.com

вот статья о полевых ключах (MOSFET и схема защиты управления в одном корпусе) PHILIPs
http://www.gamma.spb.ru/articles.php?i=39

Аналогичные есть и  у irf   это серия IPS - "интелектуальные ключи".

==========

Точно хорошо работают на частоте переключений 3 КГц  транзисторы irlz44 (40A  55V) - затвор подключен через резистор 100 Ом к выводу AVR.

==========

MOSFET требует ток через затвор только при переключения. Когда он включен или выключен ток через затвор не протекает.

1. На обложке даташитов обычно указано сопротивление для напряжения 10 вольт на затворе относительно истока.

2. Ток указан для 25 градусов.   Поэтому реально желательно смотреть длительный ток при повышеной температуре как максимальный.

3. Для управления электроприводом советую брать транзисторы на ток (по п.2)  в  2 и более раз превосходящий максимальный для устройства.

Итак, как заметил avr123, смотреть, упавляется ли MOSFET логическим уровнем, надо по Rds_on (таблица Electrical Characteristics). Наличие там значения для Vgs = 4.5 В говорит о том, что производитель подразумевает возможность управления затвором транзистора логическим уровнем.
Если такой инфы нам мало, можем посмотреть на четвертую страницу даташита - диаграмма Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage.
Из этого рисунка видно, что пределом является напряжение на затворе 3 В (какое при этом сопротивление - хрен его поймет, много! ). И из этого же рисунка можно узнать те значения, что были вынесены в таблицу Electrical Characteristics - что при 4.5 вольтах на затворе сопротивление будет что-то около 0.03 Ома. Тут уж можно посчитать рассеиваемую мощность и прочие радости.